Электрические свойства контакта “металл-углеродная пленка”
https://doi.org/10.17586/2220-8054-2023-14-1-86-88
Аннотация
Методом магнетронного распыления получены графитоподобные пленки на двух видах металлических подложек: титан и инструментальная хромистая сталь. Изучена температурная зависимость сопротивления пленок, которая носит полупроводниковый характер. Также получены вольт-амперные характеристики контакта металл-графитоподобная пленка, которые свидетельствуют о наличии перехода с барьером Шоттки.
Ключевые слова
Об авторах
Р. В. Шалаев
Galkin Donetsk Institute for Physics and Engineering
Россия
Россия
Донецк.
А. И. Изотов
Galkin Donetsk Institute for Physics and Engineering
Россия
Россия
Донецк.
В. В. Сироткин
Galkin Donetsk Institute for Physics and Engineering
Россия
Россия
Донецк.
Список литературы
1. Henish H.K. Semiconductor rectifying contacts. Oxford, Oxford University Press, 1957, 372 p.
2. Striha V.I. Theoretical foundations of the operation of a metal–semiconductor contact. Kiev, Naukova Dumka, 1974, 264 p.
3. Roderic E.H. Metal-semiconductor Contacts. Moscow, Radio and Communications, 1982, 210 p.
4. Pikus G.E. Contact Phenomena. Semiconductors in Science and Technology. Moscow, Leningrad, Publishing House of the USSR AS, 1956, v.1, 148 p.
5. Vinogradov A.Ya., Grudinkin S.A., Besedina N.A. Koniakhin S.V., Rabchinskii M.K., Eidelman E.D., Golubev V.G. Structure and properties of thin graphite-like films produced by magnetron-assisted sputtering. Semiconductors, 2018, 52(7), P. 914–920.
6. Hvostov V.V., Streletskiy O.A., Yakunin V.V., et al. Properties of carbon films with high conductivity anisotropy. Vestn. Mosk. Univ. Ser. 3. Phys. Astron., 2012, 1, P. 78–84.
7. Kalinin Yu.E., Kashirin M.A., Makagonov V.A., et al. Properties of amorphous carbon thin films grown by ion beam sputtering. Technical Physics, 2017, 62, P. 1724–1730.
8. Berezin V.M., Shepovalov I.I., Lukashev V.S. Transparency factors and electrical resistance of graphite-like films on glass. Chelyabinsk Physical and Mathematical Journal, 2017, 2(4), P. 483–488.
9. Demidov A.A., Rybalka S.B. Modern and promising semiconductor materials for microelectronics in the next decade (2020-2030). Prikladnaya matematica & Fizika, 2021, 53(1), P. 53–72.
10. Schwierz F. Graphene transistors. Nature Nanotechnology, 2010, 5, P. 487–496.
11. Breusing M., Ropers C., Elsaesser T. Ultrafast Carrier Dynamics in Graphite. Phys.Rev.Lett., 2009, 102(8), P. 086809.
12. Gubin S.P. All-carbon nanoelectronics. Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies, 2011, 3(1), P. 47–54.
Рецензия
Для цитирования:
Шалаев Р.В., Изотов А.И., Сироткин В.В. Электрические свойства контакта “металл-углеродная пленка”. Наносистемы: физика, химия, математика. 2023;14(1):86-88. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2023-14-1-86-88
For citation:
Shalayev R.V., Izotov A.I., Syrotkin V.V. Electrical properties of “metal-carbon film” contact. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2023;14(1):86-88. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2023-14-1-86-88
Просмотров:
7
Послать статью по эл. почте 