Время переходных процессов в структурных солнечных элементах CdS-CIGS в коротковолновой части спектра поглощения при различных сопротивлениях нагрузке

Работа посвящена исследованию влияния солнечного излучения в коротковолновой части спектра поглощения при различных сопротивлениях нагрузки на время жизни (τ) неосновных фотогенерированных носителей заряда (Δn) тонкопленочного солнечного элемента на основе Cu(InGa)Se₂. Установлено, что с увеличением генерируемого фототока и величины сопротивления нагрузки увеличивается время жизни неосновных фотогенерированных носителей заряда тонкопленочного солнечного элемента на основе Cu(InGa)Se₂. Полученные экспериментальные результаты интерпретируются перезарядкой дефектных состояний, которые захватывают инжектированные и фотогенерированные электроны, в результате чего они перестают быть активными центрами рекомбинации. 

1. Sze S.M. and Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. New Jersey, John Willey and Sons, Inc., 2007, p. 763.

2. Kobulov R.R., Matchanov N.A., Ataboev O.K., Akbarov F.A. Solar cells based on Cu(In, Ga)Se2. Applied Solar Energy, 2019, 55(2), p. 83–90.

3. Photovoltaic Report, Freiburg: Fraunhofer Institute for Solar Energy System, 2019. www.ise.fraunhofer.de.

4. Mirsagatov Sh.A., Kabulov R.R., and Makhmudov M.A. Injection photodiode based on an n-CdS/p-CdTe heterostructure. Semiconductors, 2013, 47, P. 825–830.

5. Ataboev O.K., Terukov E.I., Matchanov N.A. Heterojunction thin-film solar cell based on single-crystalline silicon. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 2020, 2, P. 62–65.

6. Kobulov R.R., Matchanov N.A., Ataboev O.K. Morphological and photoelectrical characteristics of the polycrystalline SnO2-CdS/Cu(In,Ga)Se2Ag thin film. Applied Solar Energy, 2018, 54(2), P. 91–94.

7. Brus V.V., Ilashchuk M.I., Khomyak V.V., Kovalyuk Z.D., Maryanchuk P.D., Ulyanytsky K.S. Electrical properties of anisotype n-CdZnO/p-CdTe heterojunctions. Semiconductors, 2012, 46, P. 1152.

8. Kobulov R.R., Makhmudov M.A., Gerasimenko S.Y., Ataboev O.K. Investigation of composition and current transport mechanism in polycrystalline thin film ultra violet Au–ZnxCd1−xS–Mo-structure with narrow spectrum of photosensitivity. Applied Solar Energy, 2017, 53(2), P. 123– 125.

9. Kabulov R.R. Features of the buffer layer ZnxCd1−xS for use in thin-film solar cells. Applied Solar Energy, 2020, 56(5), P. 383–387.

10. Leiderman A.Yu., Kashaev M.M. Lifetime specifics of nonequilibrum carriers in photoelectric cells based on gallium arsenide obtained via the Czochralski method. Applied Solar Energy, 2013, 49(4), P. 244–247.

11. Kobulov R.R., Maxmudov M.A., Gerasimenko S.Yu. Fabrication and investigation of ultravialet Au-ZnxCd1−xS–Mo-structures. Applied Solar Energy, 2017, 53(1), P. 10–12.