Для цитирования:

Чуканова О.Б., Царик К.А. Влияние конструкции SiC MOSFET на его сопротивление открытого канала и пробивное напряжение. Наносистемы: физика, химия, математика. 2025;16(3):282-290. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2025-16-3-282-290

For citation:

Chukanova O.B., Tsarik K.A. Influence of SiC MOSFET design on on-resistance and breakdown voltage. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2025;16(3):282-290. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2025-16-3-282-290