Для цитирования:

Булярский С.В., Вострецова Л.Н., Рибенек В.А. Туннельная рекомбинация в светодиодах GaN/GaInN с одной квантовой ямой. Наносистемы: физика, химия, математика. 2024;15(2):204-214. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2024-15-2-204-214

For citation:

Bulyarsky S.V., Vostretsova L.N., Ribenek V.A. Tunneling recombination in GaN/InGaN LEDs with a single quantum well. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2024;15(2):204-214. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2024-15-2-204-214