Для цитирования:
Поздняков Д.В., Борздов А.В., Борздов В.М. Моделирование квазибаллистического квантово-барьерного полевого транзистора на основе квантовой проволоки GaAs. Наносистемы: физика, химия, математика. 2025;16(2):183-191. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2025-16-2-183-191
For citation:
Pozdnyakov D.V., Borzdov A.V., Borzdov V.M. Simulation of a quasi-ballistic quantum-barrier field-effect transistor based on GaAs quantum wire. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2025;16(2):183-191. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2025-16-2-183-191